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137-2866-5346這是因為器件的許多電學(xué)和機(jī)械性質(zhì)都與它的原子級結(jié)構(gòu)有關(guān)。這就要求原子具有重復(fù)性結(jié)構(gòu)，從而使得芯片與芯片之間的性能具有重復(fù)性。
在某些情況下，需要硅片有非常純的、與半導(dǎo)體襯底有相同晶體結(jié)構(gòu)的硅表面，還要保持對摻雜類型和濃度的控制。這要通過在硅片表面淀積一層外延層來實現(xiàn)
半導(dǎo)體外延定義:外延(epitaxy)是在單晶襯底上生長一層單晶膜的技術(shù)。新生單晶層按襯底晶向延伸生長， 并稱此為外延層。長了外延層的襯底稱為外延片
半導(dǎo)體外延特點(diǎn)：
晶體結(jié)構(gòu)良好
摻入的雜質(zhì)濃度易控制
可形成接近突變p—n結(jié)
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